Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| Certificação AEC | Q101 |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Alta densidade de corrente
- Baixa indutância do package
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BDP948H6433XTMA1?
O BDP948H6433XTMA1 utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BDP948H6433XTMA1?
O BDP948H6433XTMA1 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 175 °C.
Quais as principais características técnicas do BDP948H6433XTMA1?
O BDP948H6433XTMA1 é um MOSFET de canal N com tecnologia OptiMOS™ 5. Possui tensão Drain: Source (Vds) de 40 V, corrente Drain Contínua (Id) de 100 A, resistência Drain: Source (Rds(on)) de 4.2 mOhm a 10V, tensão de Gate: Source (Vgs) de ±20 V, e tensão de Threshold (Vgs(th)) de 2.5 V. Além disso, apresenta baixa carga de gate (Qg), alta densidade de corrente, baixa indutância do package e certificação AEC Q101.