Descrição
Transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor de potência (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações automotivas.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 160 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 2.1 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Package | SuperSO8 |
| Montagem | SMD |
| Temperatura de operação | -55 °C a 175 °C |
| Aplicações | Eletrônica automotiva, gerenciamento de bateria, sistemas de distribuição de energia |
| Certificação | AEC Q101 |
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do EMCTT210PV16G1?
O EMCTT210PV16G1 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Em quais aplicações o EMCTT210PV16G1 é tipicamente utilizado?
O EMCTT210PV16G1 é projetado para aplicações em eletrônica automotiva, gerenciamento de bateria e sistemas de distribuição de energia.
Qual a tensão de gate para acionar o EMCTT210PV16G1?
A tensão de gate: source (Vgs) do EMCTT210PV16G1 é de ±20 V e a tensão de threshold (Vgs(th)) é de 2.5 V.