Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 – Módulo IGBT de Alta Performance
O Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 é um módulo IGBT avançado, projetado para aplicações que demandam eficiência energética, confiabilidade e desempenho em circuitos de alta potência. Ideal para sistemas industriais e equipamentos eletrônicos sofisticados, este módulo combina a mais alta tecnologia em semicondutores com a garantia de qualidade Infineon.
Especificações Técnicas
- Tipo: Módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
- Tensão Máxima: 1200 V.
- Corrente Nominal: 25 A.
- Configuração: Half-Bridge com diodos de recuperação rápida integrados.
- Montagem: Fácil instalação em dissipadores de calor, graças ao design otimizado.
- Eficiência: Alta eficiência energética, reduzindo perdas de comutação e condutância.
- Dimensões: Design compacto, permitindo integração em projetos com restrições de espaço.
Aplicações do Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1
Este módulo é amplamente utilizado em:
- Conversores de frequência para motores industriais.
- Fontes de alimentação ininterrupta (UPS).
- Sistemas de energia renovável, como inversores fotovoltaicos.
- Equipamentos de soldagem e corte a plasma.
- Sistemas de tração elétrica e ferroviária.
Vantagens do Produto
O FP25R12W2T4B11BOMA1 oferece benefícios como:
- Redução de perdas de energia, proporcionando maior eficiência operacional.
- Alta confiabilidade, ideal para ambientes industriais exigentes.
- Compatibilidade com diversos sistemas e aplicações.
- Facilidade de integração, reduzindo o tempo de desenvolvimento de projetos.
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