Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 12.7 mOhm a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 400 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| AEC Qualified | Sim |
| Tipo de Canal | N |
| Montagem | Through Hole |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPD127N06LG pode suportar?
O MOSFET IPD127N06LG suporta uma tensão Drain: Source (Vds) de 60 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD127N06LG?
A temperatura de operação do IPD127N06LG varia de -55 °C a 175 °C.
Em quais tipos de aplicações o IPD127N06LG é indicado?
O IPD127N06LG é projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.