Descrição
Transistor MOSFET de potência canal N, 100V, 35A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 35 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.035 Ω a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 50 pF (típico) |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 140 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 250 W a Tc=25°C |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP35N10?
O SPP35N10 possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP35N10?
A temperatura de operação do SPP35N10 varia de -55°C a +150°C.
Quais são as especificações de tensão e corrente do SPP35N10?
O SPP35N10 é um transistor MOSFET de 100V e 35A. Possui uma resistência Drain-Source (RDS(on)) de 0.035 Ω a Vgs=10V e pode suportar uma corrente de Drain pulsada (Id,pulse) de 140A.