Descrição
Transistor IGBT de alta tensão e alta corrente da família Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) com diodo de recuperação rápida.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 75 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 30 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 75A, Vge=15V: 1.75 V |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 210 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Isolamento Coletor | Gate (Vces): 1200 V |
| Package | TO-247 |
| Tecnologia | Trench IGBT |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 303 W |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
Recursos
- Diodo de Recuperação Rápida Integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRG4PH50SPBF suporta?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) máxima é de 1200 V e a tensão de isolamento Coletor: Gate (Vces) também é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4PH50SPBF?
O IRG4PH50SPBF opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 150°C.
Quais as principais características de corrente do IRG4PH50SPBF?
A corrente contínua de coletor (Ic) é de 75 A a 25°C e 30 A a 100°C. A corrente de pico de coletor (Icm) é de 210 A. Possui ainda um diodo de recuperação rápida integrado.