Descrição
O Infineon BSP613PH6327XTSA1 é um transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor (MOSFET) de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 15 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.5 mOhm (típico) |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Chaveamento automotivo, controle de motor, gerenciamento de bateria |
| Certificação AEC | Q101 |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Alta densidade de corrente
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP613PH6327XTSA1?
O Infineon BSP613PH6327XTSA1 utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP613PH6327XTSA1?
O BSP613PH6327XTSA1 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do Infineon BSP613PH6327XTSA1?
Este MOSFET é projetado para aplicações como chaveamento automotivo, controle de motor e gerenciamento de bateria.