Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.18 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | PG-TO263-3 |
| Encapsulamento | Superfície |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, adaptadores |
Recursos
- Baixa carga de gate para comutação rápida
- Baixa carga de saída para comutação rápida
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPB20N60C3ATMA1?
O SPB20N60C3ATMA1 possui encapsulamento para montagem em superfície (Surface Mount) no package PG-TO263-3.
Quais as temperaturas de operação do SPB20N60C3ATMA1?
O SPB20N60C3ATMA1 opera em temperaturas de -55 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do SPB20N60C3ATMA1?
Este MOSFET é ideal para fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC (correção do fator de potência) e adaptadores.