Descrição
Módulo de tiristor/diodo de alta potência da Infineon, projetado para aplicações de controle de energia.
Especificações
| Tipo de dispositivo | Módulo de Tiristor/Diodo |
|---|---|
| Tensão Máxima de Bloqueio (VDRM) | 2600 V |
| Corrente RMS Máxima (IT(RMS)) | 1200 A |
| Corrente de Pico Repetitiva (ITSM) | 15000 A |
| Corrente de Gatilho Máxima (IGT) | 500 mA |
| Tensão de Gatilho Máxima (VGT) | 5 V |
| Tensão de Manutenção (VTM) | 3.5 V |
| Temperatura de Operação Máxima (Tvj) | 125 °C |
| Encapsulamento | TO-200AC (AC 100) |
| Tecnologia | High Power Thyristor/Diode Module |
| Aplicações | Controle de energia, retificadores, inversores de alta potência |
FAQ
Qual o encapsulamento do módulo Infineon T1220N26TOFVT?
O módulo Infineon T1220N26TOFVT possui encapsulamento TO-200AC (AC 100).
Qual a temperatura máxima de operação do T1220N26TOFVT?
A temperatura máxima de operação (Tvj) do T1220N26TOFVT é de 125 °C.
Quais são as aplicações típicas do módulo Infineon T1220N26TOFVT?
O módulo Infineon T1220N26TOFVT é utilizado em aplicações como controle de energia, retificadores e inversores de alta potência.