Descrição
Transistor IGBT de alta performance da família IRG4PC com diodo rápido integrado, projetado para aplicações de comutação em alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 45 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 180 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25°C: 1.7 V (típico) |
| Diodo de Ruptura Rápida (trr) | 50 ns (típico) |
| Package | TO-247 |
| Configuração | Discreto |
| Classe de Tensão | 600V |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRGB4607DPBF pode suportar?
O IRGB4607DPBF suporta uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 600 V.
Em quais temperaturas o IRGB4607DPBF pode operar?
O IRGB4607DPBF opera na faixa de temperatura de -55°C a +150°C.
Qual a corrente contínua máxima que o IRGB4607DPBF pode conduzir?
A corrente de coletor contínua (Ic) do IRGB4607DPBF a 25°C é de 45 A.