Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 107 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.1 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TO263-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| RoHS | Sim |
| Tipo de Canal | N |
| Encapsulamento | TO-263 |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPB107N20N3GATMA1?
O transistor IPB107N20N3GATMA1 possui encapsulamento TO-263 (PG-TO263-3).
Qual a faixa de temperatura de operação do IPB107N20N3GATMA1?
O IPB107N20N3GATMA1 pode operar em temperaturas entre -55 °C e 175 °C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada entre o Gate e o Source (Vgs) do IPB107N20N3GATMA1?
A tensão máxima entre o Gate e o Source (Vgs) do IPB107N20N3GATMA1 é ±20 V.