Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 241 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico aprimorado
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo DD241S12K-A?
O módulo de potência IGBT Infineon DD241S12K-A suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o DD241S12K-A pode operar?
O módulo DD241S12K-A opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do módulo DD241S12K-A?
O módulo DD241S12K-A é utilizado em inversores solares, sistemas de energia eólica e acionamentos de motor.