Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 7A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 7 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.55 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 139 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | PG-TO220-3 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC, fontes de LED. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP07N60C3XKSA1?
O SPP07N60C3XKSA1 possui encapsulamento em plástico e package PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP07N60C3XKSA1?
A temperatura de operação do SPP07N60C3XKSA1 varia de -55°C a 150°C.
Quais são algumas aplicações típicas do SPP07N60C3XKSA1?
O SPP07N60C3XKSA1 é indicado para aplicações como fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC e fontes de LED.