Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de alta potência e frequência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | E3256 |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT
- Diodo de freio integrado (FWD)
- Baixa indutância de gate
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo BSM150GB120DN2E3256?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do BSM150GB120DN2E3256 é de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do BSM150GB120DN2E3256?
O BSM150GB120DN2E3256 opera em temperaturas entre -40°C e 150°C.
Em quais aplicações o BSM150GB120DN2E3256 é comumente utilizado?
O BSM150GB120DN2E3256 é utilizado em aplicações como inversores solares e fontes de alimentação.