Descrição
Transistor bipolar de junção NPN de alta frequência, projetado para aplicações de RF em dispositivos móveis e comunicação.
Especificações
| Tecnologia | SiGe |
|---|---|
| Tipo de transistor | NPN |
| Tensão máxima coletor | emissor (Vceo): 5 V |
| Corrente máxima de coletor (Ic) | 50 mA |
| Ganho de corrente contínuo (hFE) | 100 a 300 |
| Frequência de transição (fT) | 150 GHz |
| Encapsulamento | SOT-323 |
Recursos
- Baixo ruído
- Alta ganho de transcondutância
- Adequado para amplificadores de baixo ruído (LNA)
- Adequado para misturadores e osciladores
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BFP420H6327XTSA1?
O BFP420H6327XTSA1 é encapsulado em SOT-323.
Quais as aplicações típicas do BFP420H6327XTSA1?
Este transistor é adequado para aplicações de RF, incluindo amplificadores de baixo ruído (LNA), misturadores e osciladores.
Qual a frequência de transição do BFP420H6327XTSA1?
A frequência de transição (fT) do BFP420H6327XTSA1 é 150 GHz.