Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 15 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 7.5 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 15A, 15V: 1.7 V |
| Corrente de Curto | Circuito (Isc): 15 A |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 1000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 100 pF |
| Capacitância Reverso (Cres) | 20 pF |
| Package | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor Infineon G15T120 suporta?
O transistor Infineon G15T120 suporta uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a corrente contínua máxima que o G15T120 suporta em diferentes temperaturas?
A corrente contínua de coletor (Ic) é de 15 A a 25°C e 7.5 A a 100°C.
Em qual encapsulamento o G15T120 é fornecido e qual sua faixa de temperatura de operação?
O G15T120 é fornecido no encapsulamento TO-247. A faixa de temperatura de operação é de -40°C a +150°C.