Infineon FZ800R16KF4-S1

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1600 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 800 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 1.5 A
Package EconoDUAL™ 3
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.025 K/W
Temperatura de operação -40 °C a +125 °C
Aplicações Inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais, tração elétrica

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)

FAQ

Qual a tensão do coletor-emissor do FZ800R16KF4-S1?

A tensão do coletor-emissor (Vces) do FZ800R16KF4-S1 é de 1600 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência FZ800R16KF4-S1?

As aplicações típicas do FZ800R16KF4-S1 incluem inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais e tração elétrica.

Qual a temperatura de operação do FZ800R16KF4-S1?

A temperatura de operação do FZ800R16KF4-S1 varia de -40 °C a +125 °C.

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