Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação e conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.23 Ω (máx. a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Package | PG-TO220-3 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, inversores solares, carregadores de bateria. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP20N60C3XKSA1?
O SPP20N60C3XKSA1 possui encapsulamento em plástico, no package PG-TO220-3.
Quais as temperaturas de operação do SPP20N60C3XKSA1?
O SPP20N60C3XKSA1 opera em temperaturas que variam de -55 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do SPP20N60C3XKSA1?
O SPP20N60C3XKSA1 é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, inversores solares e carregadores de bateria.