Infineon IRFP250R

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Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.

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Descrição

Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.

Especificações

Tecnologia Power MOSFET
Tipo de Canal N-Channel
Tensão Dreno Fonte (Vds): 200 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 32 A
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) 128 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Dreno Source (Rds(on)): 0.05 Ohm @ Vgs = 10V
Carga de Gate Total (Qg) 100 nC
Tempo de Subida (tr) 15 ns
Tempo de Descida (tf) 10 ns
Package TO-247
Temperatura de Operação -55°C a +150°C

FAQ

Qual a tensão máxima que o IRFP250R pode suportar?

A tensão máxima Dreno-Fonte (Vds) é de 200 V, conforme especificado.

Em qual faixa de temperatura o IRFP250R pode operar?

O IRFP250R opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +150°C.

Qual a corrente contínua máxima que o IRFP250R pode conduzir?

A corrente de Dreno Contínua (Id) do IRFP250R é de 32 A.

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