Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 330 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 330A, 25°C: 2.0 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 1.5 A |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Package | TO-247-3 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 1000 W |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.12 K/W |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo TD330N16KOF?
O transistor TD330N16KOF suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1600 V.
Em quais faixas de temperatura o TD330N16KOF pode operar?
A temperatura de operação (Tj) do TD330N16KOF varia de -40°C a +150°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do TD330N16KOF?
O TD330N16KOF é adequado para aplicações como inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.