Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 100A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TDSON 8. Projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 2.8 mΩ a Vgs=10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40°C a 175°C |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Alta eficiência
- RoHS compatível
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET BSC028N06LS3GATMA1?
O MOSFET BSC028N06LS3GATMA1 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSC028N06LS3GATMA1?
A temperatura de operação do BSC028N06LS3GATMA1 varia de -40°C a 175°C.
Quais são as aplicações típicas do BSC028N06LS3GATMA1?
O BSC028N06LS3GATMA1 é projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva. Ele também apresenta alta eficiência e é compatível com RoHS.