Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 2, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta densidade de potência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 80 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.0 mOhm a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V |
| Package | PG-TO262-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 320 A |
| Carga de Gate (Qg) | 55 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 7 ns |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPP80N06S2-05 pode suportar?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) é de 60 V e a tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP80N06S2-05?
A temperatura de operação do IPP80N06S2-05 varia de -55 °C a 175 °C.
Quais são as principais características de desempenho do IPP80N06S2-05?
O IPP80N06S2-05 possui corrente contínua Drain (Id) de 80 A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 5.0 mOhm a Vgs = 10 V, corrente pulsada Drain (Id,pulse) de 320 A, e tempos de subida (tr) e descida (tf) de 10 ns e 7 ns, respectivamente. Utiliza a tecnologia OptiMOS™ 2.