Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 70A, com baixa resistência Rds(on) e encapsulamento TO247.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ C7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 70 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 25 mΩ (típico) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
Recursos
- Baixas perdas de comutação
- Alta eficiência
- Ideal para aplicações de fonte de alimentação e inversores
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon 142570TT66N?
O transistor Infineon 142570TT66N possui encapsulamento PG-TO247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET?
A temperatura de operação do Infineon 142570TT66N é de -55°C a 150°C.
Quais são as aplicações típicas do Infineon 142570TT66N?
O Infineon 142570TT66N é ideal para aplicações de fonte de alimentação e inversores, devido à sua alta eficiência e baixas perdas de comutação.