Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência eficientes.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 49 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.2 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão de Threshold Gate (Vgs(th)) | 2 V a 4 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1500 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 150 pF |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 196 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | DPAK (TO-263) |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFR5505PBF suporta?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 55 V e a tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.
Em quais temperaturas o IRFR5505PBF pode operar?
O IRFR5505PBF opera em temperaturas de -55 °C a 175 °C.
Quais são as principais características elétricas do IRFR5505PBF?
O IRFR5505PBF possui corrente contínua Drain (Id) de 49 A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 5.2 mΩ a Vgs = 10 V, e tensão de threshold Gate (Vgs(th)) entre 2 V e 4 V. A capacitância de entrada (Ciss) é de 1500 pF, a de saída (Coss) é 450 pF e a de transferência (Crss) é 150 pF. A corrente pulsada Drain (Idm) é 196 A. Ele é fabricado com a tecnologia OptiMOS™ 3.