Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família IRFR, encapsulado em DPAK (TO 252AA), ideal para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 49 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 196 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 12 mΩ (Vgs=10V, Id=25A) |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V (Id=250µA) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300 pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 150 pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Encapsulamento | DPAK (TO-252AA) |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFR5305TRLPBF?
O IRFR5305TRLPBF é encapsulado em DPAK (TO-252AA).
Qual a tensão máxima que o IRFR5305TRLPBF suporta?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRFR5305TRLPBF é de 55 V e a tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.
Quais as principais aplicações do IRFR5305TRLPBF?
O IRFR5305TRLPBF é um MOSFET de canal N, ideal para aplicações de comutação de alta frequência.