Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 17A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento DPAK.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente de Drain contínua (Id) | 17 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.045 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V @ Id = 250uA |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Montagem | Through Hole |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRFR024NTRPBF?
O transistor IRFR024NTRPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR024NTRPBF?
A temperatura de operação do IRFR024NTRPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source e a corrente contínua de Drain do IRFR024NTRPBF?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) do IRFR024NTRPBF é 55V e a corrente contínua de Drain (Id) é 17A.