Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de alta corrente e alta tensão em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 140 A |
| Corrente Drain Pulsada (Idm) | 560 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4800 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1100 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 450 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | TO-247 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFP4668PBF suporta?
O IRFP4668PBF suporta uma tensão Drain: Source (Vds) de 200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP4668PBF?
O IRFP4668PBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Quais as características de corrente do IRFP4668PBF?
O IRFP4668PBF tem uma corrente Drain Contínua (Id) de 140 A e uma corrente Drain Pulsada (Idm) de 560 A.