Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 70 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 280 A |
| Tensão de Gate | Fonte (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 12 mΩ a Vgs = 10 V |
| Carga de Gate (Qg) | 55 nC a Vgs = 10 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1600 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 120 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFP3710PBF?
O IRFP3710PBF é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP3710PBF?
A temperatura de operação do IRFP3710PBF varia de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão máxima Dreno-Fonte do IRFP3710PBF?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRFP3710PBF é 100 V.