Infineon IRFP150NPBF

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Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.

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Descrição

Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.

Especificações

Tecnologia Power MOSFET
Tipo de Canal N-Channel
Tensão Dreno Fonte (Vds): 150 V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 45 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Dreno Source (RDS(on)): 0.028 Ohm @ Vgs = 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) 2300 pF
Capacitância de Saída (Coss) 550 pF
Capacitância de Transferência Inversa (Crss) 250 pF
Tempo de Subida (tr) 15 ns
Tempo de Descida (tf) 10 ns
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Encapsulamento TO-247
RoHS Sim (NPBF indica RoHS compliant)

FAQ

Qual o encapsulamento do IRFP150NPBF?

O IRFP150NPBF possui encapsulamento TO-247.

Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP150NPBF?

A temperatura de operação do IRFP150NPBF varia de -55°C a +175°C.

Qual a tensão máxima dreno-fonte (Vds) e corrente de dreno contínua (Id) do IRFP150NPBF?

A tensão dreno-fonte (Vds) máxima do IRFP150NPBF é de 150 V e a corrente de dreno contínua (Id) é de 45 A.

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