Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.18 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 3 V (típico) |
| Corrente de Gate | Source (Igs): ±250 nA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1200 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 130 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 20 pF (típico) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Package | PG-TO263-3 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC, eletrônica de potência. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP20N6C3?
O SPP20N6C3 utiliza encapsulamento em plástico no formato PG-TO263-3.
Quais as temperaturas de operação do SPP20N6C3?
O SPP20N6C3 pode operar em temperaturas que variam de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do SPP20N6C3?
O SPP20N6C3 é comumente utilizado em fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC e eletrônica de potência.