Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | IR (Infineon's proprietary) |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 27 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 108 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.035 Ohm @ Vgs = 10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 45 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 250 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100 pF |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | DPAK (TO-263) |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFR3910PBF?
O IRFR3910PBF é encapsulado em DPAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR3910PBF?
O IRFR3910PBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Dreno-Fonte do IRFR3910PBF?
A tensão máxima Dreno-Fonte (Vds) do IRFR3910PBF é 100V.