Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 30V, 75A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento DPAK.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) a 25°C | 75A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)) a 10V, 25A: 7.2 mOhm |
| Tensão de Gate | Fonte (Vgs): ±20V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) a 250µA | 2V |
| Encapsulamento | TO-263 (D2PAK) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,puls) | 300A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFR3710ZPBF?
O IRFR3710ZPBF possui encapsulamento TO-263, também conhecido como D2PAK.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR3710ZPBF?
A temperatura de operação do IRFR3710ZPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas do IRFR3710ZPBF?
O IRFR3710ZPBF é um MOSFET de canal N com tensão Dreno-Fonte (Vds) de 30V, corrente de Dreno contínua (Id) de 75A a 25°C, resistência Dreno-Fonte (RDS(on)) de 7.2 mOhm a 10V e 25A, e tensão de Gate-Fonte (Vgs) de ±20V. Possui também uma corrente de Dreno Pulsada (Id,puls) de 300A.