Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 13A, com encapsulamento DPAK. Projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 13 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.075 Ohm @ Vgs = 10V |
| Encapsulamento | DPAK (TO-252) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 52 A |
| Carga de Gate (Qg) | 15 nC |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±16 V |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRFR120NTRPBF?
O transistor IRFR120NTRPBF possui encapsulamento DPAK (TO-252).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR120NTRPBF?
A temperatura de operação do IRFR120NTRPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada ao gate do IRFR120NTRPBF?
A tensão Gate-Source máxima (Vgs) do IRFR120NTRPBF é ±16 V.