Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 13A, com encapsulamento DPAK. Projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 13A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.08 Ohm @ Vgs = 10V |
| Encapsulamento | DPAK (TO-263) |
| Tecnologia | Logic Level |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 52A |
| Carga de Gate (Qg) | 25nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 450pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 20pF |
| Potência Dissipada (Pd) | 3.4W |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFR120NPBF?
O IRFR120NPBF possui encapsulamento DPAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR120NPBF?
O IRFR120NPBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de acionamento (nível lógico) do IRFR120NPBF?
O IRFR120NPBF é um MOSFET de “Logic Level”, e sua tensão de threshold Gate: Source (Vgs(th)) é de 2V.