Infineon IRFR1010ZPBF

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Infineon IRFR1010ZPBF: MOSFET de Potência N-Channel de Alta Performance

O IRFR1010ZPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de última geração que oferece desempenho excepcional em uma variedade de aplicações. Com uma resistência de estado ligado (RDS(on)) ultrabaixa e capacidade de manuseio de alta corrente, este transistor HEXFET® é ideal para projetos que exigem eficiência e confiabilidade.

Especificações Técnicas:

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 55V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 42A
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 7.5mΩ
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 63nC
  • Dissipação de Potência (PD): 140W
  • Temperatura de Operação (TJ): -55°C a +175°C
  • Encapsulamento: DPAK (TO-252AA)

Características Principais:

O IRFR1010ZPBF se destaca por suas características avançadas, que o tornam uma escolha superior para diversas aplicações:

  • Tecnologia de Processamento Avançada: Permite alcançar RDS(on) ultrabaixo, minimizando perdas de condução.
  • Alta Capacidade de Corrente: Suporta correntes de dreno contínuas de até 42A, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
  • Comutação Rápida: Proporciona transições rápidas entre os estados ligado e desligado, reduzindo perdas de comutação e melhorando a eficiência.
  • Temperatura de Operação Elevada: Opera em temperaturas de junção de até 175°C, garantindo confiabilidade em ambientes desafiadores.
  • Avalanche Repetitiva Permitida: Oferece robustez e proteção contra transientes de tensão.
  • Encapsulamento DPAK: Compacto e de fácil montagem em placas de circuito impresso.

Aplicações:

O MOSFET IRFR1010ZPBF é uma solução versátil para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS)
  • Conversores CC-CC
  • Controladores de Motor
  • Acionamentos de Solenoides
  • Circuitos de Iluminação
  • Sistemas Automotivos

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