Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento D2PAK.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 110A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 7.5mOhm @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 440A |
| Carga de Gate (Qg) | 100nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFR1010ZPBF?
O IRFR1010ZPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFR1010ZPBF?
A temperatura de operação do IRFR1010ZPBF varia de -55°C a +175°C.
O IRFR1010ZPBF possui alguma conformidade com padrões de proteção ambiental?
Sim, o IRFR1010ZPBF é RoHS Compliant.