Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 135 A |
| Corrente Pulsada Drain (Idm) | 540 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.7 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V a 250 µA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1000 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 300 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | TO-247 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFP4332PBF suporta?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) suportada é de 150 V, e a tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP4332PBF?
O IRFP4332PBF opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Quais são as principais características elétricas do IRFP4332PBF?
O IRFP4332PBF possui uma corrente contínua Drain (Id) de 135 A, corrente pulsada Drain (Idm) de 540 A, e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 4.7 mOhm a 10V. Utiliza tecnologia OptiMOS™ 3 e sua capacitância de entrada (Ciss) é de 3300 pF.