Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência em geral.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 49A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 17.5mΩ a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V a 4V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 350pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 150pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 196A |
| Potência Dissipada (Pd) | 150W |
| Encapsulamento | TO-220 FullPAK |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFIZ44NPBF?
O IRFIZ44NPBF possui encapsulamento TO-220 FullPAK.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFIZ44NPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRFIZ44NPBF é de -55°C a +175°C.
Quais as tensões máxima de Gate e Drain do IRFIZ44NPBF?
A tensão Gate:Source (Vgs) máxima do IRFIZ44NPBF é ±20V, e a tensão Drain:Source (Vds) é 60V.