Infineon IRGP4062DPBF

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Transistor IGBT de alta performance da família IRGP, projetado para aplicações de alta frequência e alta corrente.

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Descrição

Transistor IGBT de alta performance da família IRGP, projetado para aplicações de alta frequência e alta corrente.

Especificações

Tecnologia Trench IGBT
Tensão Coletor Emissor (Vces): 600 V
Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C 120 A
Corrente de Coletor Pulsada (Icm) 480 A
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)) a 120 A, 25°C: 1.7 V
Tensão de Gate Emissor (Vge) para ligar: 15 V
Corrente de Gate (Ig) ±300 mA
Capacitância de Entrada (Cies) 3300 pF
Capacitância de Saída (Coes) 350 pF
Capacitância de Transferência (Cres) 50 pF
Tempo de Subida (tr) 25 ns
Tempo de Descida (tf) 100 ns
Package TO-247
Faixa de Temperatura de Operação -55°C a +150°C

FAQ

Qual a tensão máxima que o IRGP4062DPBF suporta?

O transistor IRGP4062DPBF suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 600 V.

Quais as temperaturas de operação do IRGP4062DPBF?

A faixa de temperatura de operação do IRGP4062DPBF é de -55°C a +150°C.

Qual a corrente contínua e pulsada máxima suportada pelo IRGP4062DPBF?

A corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C é de 120 A, e a corrente de Coletor Pulsada (Icm) é de 480 A.

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