Descrição
Transistor IGBT de alta tensão e corrente, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 50 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 25 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 50A, 15V: 2.0 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) para ligar: 5 V |
| Corrente de Gate | Emissor (Vge) máxima: ±20 V |
| Frequência de Operação | até 100 kHz |
| Package | TO-247 |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Diodo de Ruptura Rápido Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores, controle de motor |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRG4PC50WPBF pode suportar?
O IRG4PC50WPBF possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 600 V.
Qual a temperatura máxima de operação do IRG4PC50WPBF e qual sua corrente contínua a esta temperatura?
A faixa de temperatura de operação do IRG4PC50WPBF é de -55°C a +150°C. A 100°C, a corrente contínua do coletor (Ic) é de 25 A.
Quais as aplicações típicas do IRG4PC50WPBF?
O IRG4PC50WPBF é projetado para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores e controle de motor.