Descrição
Transistor IGBT de alta velocidade IRG4PC40W da Infineon, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 40 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 20 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 120 A |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Temperatura de Operação da Junção | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-247AC |
| Tempo de Subida (tr) | 30 ns (típico) |
| Tempo de Descida (tf) | 100 ns (típico) |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 1300 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coes) | 200 pF (típico) |
| Capacitância Reverso (Cres) | 50 pF (típico) |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRG4PC40W?
O transistor IRG4PC40W possui encapsulamento TO-247AC.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4PC40W?
A temperatura de operação da junção do IRG4PC40W varia de -55°C a +150°C.
Qual a corrente contínua máxima que o IRG4PC40W suporta?
A corrente contínua de coletor (Ic) do IRG4PC40W é de 40 A a 25°C e 20 A a 100°C.