Descrição
Transistor IGBT de alta velocidade com diodo, projetado para aplicações de comutação em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 20 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 80 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 20A, 15V: 1.7 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Gate | Emissor (Vge(th)): 5.0 V |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores, controle de motor |
Recursos
- Diodo de Recuperação Rápida Integrado
FAQ
Qual o encapsulamento do IRG4BC30KDPBF?
O IRG4BC30KDPBF é encapsulado em TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4BC30KDPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRG4BC30KDPBF é de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do IRG4BC30KDPBF?
O IRG4BC30KDPBF é projetado para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores e controle de motor.