Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência com baixa resistência de condução.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 56A |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 15mOhm @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V a 4V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 350pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 150pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 224A |
| Potência Dissipada (Pd) | 150W |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFZ48VPBF?
O IRFZ48VPBF é encapsulado em TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFZ48VPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRFZ48VPBF é de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas principais do IRFZ48VPBF?
O IRFZ48VPBF é um MOSFET de canal N com tensão Dreno-Source (Vds) de 60V, corrente de Dreno contínua (Id) de 56A e resistência Dreno-Source (Rds(on)) de 15mOhm @ Vgs = 10V.