Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 60A, com encapsulamento TO 220AB. Projetado para aplicações de comutação de alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 60 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 16 mOhm |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 240 A |
| Carga de Gate (Qg) | 110 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 500 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 200 pF |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFZ48NPBF?
O IRFZ48NPBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFZ48NPBF?
A temperatura de operação do IRFZ48NPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de dreno-fonte máxima do IRFZ48NPBF?
A tensão de dreno-fonte (Vds) máxima do IRFZ48NPBF é 55 V, e a corrente contínua de dreno (Id) é de 60 A.