Infineon IRFZ34NPBF: MOSFET de Potência N-Channel para Aplicações de Alta Eficiência

O IRFZ34NPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de 55V e 29A, pertencente à família HEXFET®. Este componente se destaca por sua baixa resistência de condução (Rds(on)) e alta capacidade de corrente, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta eficiência e desempenho.

Especificações Técnicas do IRFZ34NPBF:

• Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 55V
• Corrente de Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 29A
• Resistência de Condução (Rds(on)) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
• Tensão de Gate Limiar (Vgs(th)) @ Id: 4V @ 250µA
• Carga de Gate (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Dissipação de Potência (Pd): 68W
• Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
• Encapsulamento: TO-220AB

Características e Benefícios do MOSFET IRFZ34NPBF:

O IRFZ34NPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha popular entre os projetistas:

• Baixa resistência de condução (Rds(on)), minimizando perdas de energia e aumentando a eficiência.
• Alta capacidade de corrente, permitindo o uso em aplicações de alta potência.
• Tempo de comutação rápido, reduzindo as perdas de comutação e melhorando o desempenho geral.
• Robusto encapsulamento TO-220AB, garantindo confiabilidade e durabilidade em ambientes desafiadores.
• Tecnologia HEXFET® da Infineon, sinônimo de qualidade e desempenho no mercado de semicondutores.

Aplicações do IRFZ34NPBF:

Graças à sua versatilidade, o IRFZ34NPBF pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:

• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
• Conversores DC-DC
• Controladores de motor
• Circuitos de acionamento de relés
• Sistemas de controle industrial
• Aplicações automotivas

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