Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 65 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.5 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1700 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 200 pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 260 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a temperatura de operação do IRFU3607PBF?
O IRFU3607PBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima que o IRFU3607PBF pode suportar no dreno?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima do IRFU3607PBF é de 75 V.
Qual o tipo de encapsulamento do IRFU3607PBF?
O IRFU3607PBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).