Infineon IRFP064NPBF

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Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.

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Descrição

Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.

Especificações

Tecnologia Power MOSFET
Tipo de Canal N-Channel
Tensão Dreno Fonte (Vds): 60V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 110A
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) 440A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20V
Resistência Dreno Source (Rds(on)): 0.0085 Ohm (Vgs=10V, Id=110A)
Tensão de Threshold Gate Source (Vgs(th)): 4V (Id=250uA)
Capacitância de Entrada (Ciss) 3400pF
Capacitância de Saída (Coss) 700pF
Capacitância de Transferência Inversa (Crss) 450pF
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Encapsulamento TO-247
RoHS Sim

FAQ

Qual o encapsulamento do IRFP064NPBF?

O IRFP064NPBF é encapsulado em TO-247.

Qual a faixa de temperatura de operação do IRFP064NPBF?

A temperatura de operação do IRFP064NPBF varia de -55°C a +175°C.

Quais são os valores de tensão e corrente suportados pelo IRFP064NPBF?

O IRFP064NPBF suporta uma tensão Dreno-Fonte (Vds) de 60V, uma corrente de Dreno contínua (Id) de 110A e uma corrente de Dreno pulsada (Idm) de 440A.

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