Descrição
Transistor IGBT de alta performance da família IRG4PC50W, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 45 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 25 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25°C: 1.7 V (típico) |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 180 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 300 mA |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
| Package | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Tempo de Subida (tr) | 30 ns (típico) |
| Tempo de Descida (tf) | 100 ns (típico) |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRGB4062DPBF suporta?
O transistor IGBT IRGB4062DPBF suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRGB4062DPBF?
A faixa de temperatura de operação (Tj) do IRGB4062DPBF é de -40°C a +150°C.
Quais as características de corrente do IRGB4062DPBF?
O IRGB4062DPBF tem uma corrente contínua de coletor (Ic) de 45 A a 25°C e 25 A a 100°C. A corrente de pico de coletor (Icm) é de 180 A.