Descrição
Transistor IGBT de alta velocidade da família IRG4BC40FPBF, projetado para aplicações de comutação em alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vce): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 20 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 10 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | ±25 mA |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 1000 pF (típico) |
| Tempo de Subida (tr) | 25 ns (típico) |
| Tempo de Descida (tf) | 100 ns (típico) |
| Package | TO-247 |
| Encapsulamento | Lead-Free |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRG4BC40FPBF?
O IRG4BC40FPBF utiliza o encapsulamento TO-247 e é Lead-Free.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRG4BC40FPBF?
A faixa de temperatura de operação do IRG4BC40FPBF é de -55°C a +150°C.
Quais as tensões de operação do IRG4BC40FPBF?
A tensão Coletor: Emissor (Vce) é de 600 V e a tensão de Gate: Emissor (Vge) é de ±20 V.