Transistor IGBT IRG4BC40FPBF Infineon – Alta Velocidade e Eficiência
Procurando por um transistor IGBT de alta velocidade e eficiência para sua aplicação? Apresentamos o IRG4BC40FPBF da Infineon, um componente de alta performance que oferece excelente desempenho em diversas aplicações de comutação.
Especificações Técnicas do IRG4BC40FPBF:
- Tecnologia: IGBT de 4ª Geração
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 600V
- Corrente de Coletor Contínua (IC): 49A (25°C), 27A (100°C)
- Corrente de Coletor Pulsada (ICM): 196A
- Dissipação de Potência (PD): 160W (25°C), 65W (100°C)
- Frequência de Operação: 1-5kHz (comutação brusca), >20kHz (modo ressonante)
- Encapsulamento: TO-220AB
- Temperatura de Junção (Tj): -55°C a +150°C
Características e Benefícios do IRG4BC40FPBF
O IRG4BC40FPBF é um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de alta velocidade, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho. Ele pertence à 4ª geração de IGBTs da Infineon, o que garante um componente com parâmetros otimizados e maior eficiência em comparação com gerações anteriores.
Este transistor IGBT é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Inversores solares
- Controles de motor
- Aplicações de aquecimento por indução
- Soldagem
Com sua alta velocidade de comutação, o IRG4BC40FPBF minimiza as perdas de energia e aumenta a eficiência geral do sistema. Além disso, sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões o torna adequado para aplicações de alta potência.
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