Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 50A, 0.012 ohm, encapsulamento TO 220. Ideal para aplicações de chaveamento de alta corrente.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 50 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.012 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V a 4 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 200 A |
| Carga de Gate (Qg) | 100 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFZ46NPBF?
O transistor IRFZ46NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFZ46NPBF?
O IRFZ46NPBF opera em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que o IRFZ46NPBF suporta?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRFZ46NPBF é de 55V, e a tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.