Infineon IRFS3306PBF: MOSFET de Potência de Alta Eficiência
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o Infineon IRFS3306PBF, um transistor MOSFET de canal N de última geração que oferece desempenho excepcional e confiabilidade incomparável.
Especificações Técnicas do IRFS3306PBF
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 20V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 160A @ TC = 25°C
- Resistência On-Resistance (RDS(on)): 4mΩ @ VGS = 10V
- Capacitância de Entrada (Ciss): 4100pF
- Tempo de Aumento (tr): 25ns
- Tempo de Queda (tf): 21ns
- Encapsulamento: D2PAK
Características e Benefícios do IRFS3306PBF
O IRFS3306PBF foi projetado para atender às demandas de uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores CC-CC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
Este MOSFET de potência oferece uma série de vantagens significativas, como:
- Baixa resistência On-resistance, resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, tornando-o ideal para aplicações de alta potência.
- Tempo de comutação rápido, proporcionando melhor desempenho e menor perda de energia.
- Robustez e confiabilidade excepcionais, garantindo longa vida útil e operação estável.
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